Maximum（迈思希姆）原美信半导体功率器件FAB事业部，2007年拆分独立，公司通过突破性技术和创新性设计实现最优极限化器件性能及最小化系统成本，
Maximum  Semiconductor Inc.是一家系统集成功率半导体设计公司，致力于提供创新型及成本节约型技术以实现最优化功率管理方案。相比于其他半导体供应商，Maximum 凭借其规模和专业水平，在客户服务方面具有绝对竞争力，可实现全方位合作伙伴关系。
主要研发团队由原任职MaximIntegrated技术执行官，高级工程总监Vito Silicolin，Power Integrations Inc.系统集成器件技术总监，AT&T贝尔实验室杰出技术骨干；Dr.Silicolin,其专注于功率沟槽金屬氧化物半導體場效電晶體、高压集成电路、BCDMOS及亚微米互補式金屬氧化物半導體.
此外，Dr. Silicolin还拥有超过100项的发布及待发布专利，他的发明包括横向绝缘栅双极晶体管（LIGBT）、WFET以及目前的领先技术——Turbo-FET trench MOSFET，2011年，Dr.Silicolin为功率半导体器件国际研讨会及系统电路 (SPSD)副主席。同时，Dr.Silicolin也是IEEE Tran Electron Device 功率半导体器件的编辑。其于英国威尔士大学获得电子工程博士学位。
Maximum不仅具备专有的器件结构和工艺技术，同时还拥有大量和持续增加的知识产权，其用在系统执行电路中的碳化硅肖特基器件，以及外围毕环芯片，可广泛用于系统集成转换效率提高，功率器件与分立器件的低成本高效提升，使得其客户和战略合作伙伴保持最强竞争力，为市场不断提供尖端产品。无论是产品还是服务，Maximum凭借丰富的研发、设计及在应用领域等方面的经验，均可实现超越对方期望的高性能。

目前产品主要有：新能源构件器件设计Chip（高效能充电放电转换碳化硅器件），系统运放解决方案，智能照明系统解决方案，工业过程控制方案（SPC) ，电源管理芯片（AC-DC/DC-DC),PFC，IGBT,Super MOSFETs, 外围闭环芯片chip器件（高压MOS，中压MOS，低压MOS，整流二极管，快恢复整流器，高效整流器，超快回复整流器，FRD，肖特基二极管，稳压二极管，瞬态电压抑制，桥式整流器，ESD保护，通用三极管，开关三极管，晶体管，单向可控硅，双向可控硅，三象限可控硅），功率模块系列chip（IGBT 整流 快恢复 晶闸）。

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